【IC风云榜候选企业128】爱仕特：深耕SiC功率器件领域突破硅IGBT在62mm封装的功率密度极限
发表时间：2023-12-20 21:46:17 来源：开云全站
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项，不仅在形式和深度上焕然一新，而且分类更加科学全面，产业触达程度更深、行业影响力持续扩大。本届评委会由半导体投资联盟超100
集微网消息，碳化硅（SiC）功率器件相较于传统硅基器件，在高压、高温、高频、大功率等方面拥有更好的系统节能特性，在新能源汽车、光伏、储能等领域的渗透率将日益提升。研究机构多个方面数据显示，2023年全球碳化硅功率器件市场规模大约为31亿美元，预计2029年将达到152亿美元，未来几年复合年均增长率（CAGR）为30%，未来市场发展的潜力广阔。
全球碳化硅模块前五大生产商均为国外厂商，占据了大约70%的市场占有率，在该领域内，国产厂商还有很大的发展和替代空间，其中，爱仕特在碳化硅功率器件领域展现出了领先的技术实力。
爱仕特成立于2017年12月，是一家专注于第三代半导体SiC MOSFET芯片研发及功率模块生产的国家高新技术企业及深圳市专精特新企业，已建成车规级SiC功率模块工厂，先后通过了IATF16949汽车行业质量管理体系、ISO9001/45001/14001三体系和AEC-Q101产品可靠性认证。目前公司产品涵盖650V-3300V/5A-150A的SiC MOSFET、高功率低耗损的SiC功率模块以及基于SiC功率器件的整机应用系统方案。
在具体产品方面，爱仕特推出了全新SiC模块，采用了62mm工业标准封装，突破了硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限，为碳化硅打开了250kW以上中等功率应用的大门，扩展到太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。
爱仕特62mm封装模块采用标准基板和接口，可兼容行业内各大主流产品，实现快速替换使用，现有30A/650V、60A/1700V和100A/1700V等型号供选择。
该模块采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计，同时采用了全焊片工艺以及自建不同熔点焊片体系，保证了焊料层的稳定性及可控性，提高了器件的耐温度循环能力。
爱仕特62mm封装模块具有非常出色的温度循环能力和175℃的连续工作时候的温度（Tvjop），带来出色的系统可靠性。其内部的对称环流设计，使得产品具有更低寄生参数及开关特性。
该62mm封装模块搭载爱仕特的SiC MOSFET芯片，可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗和导通损耗可以最大限度地减少冷却器件尺寸。在高开关频率下运行时，可使用更小的磁性元件。凭借爱仕特的SiC芯片技术，客户能设计尺寸更小的逆变器，以此来降低整体系统成本。
展望未来，爱仕特将积极做出响应国家全力发展第三代半导体产业政策，继续深耕碳化硅功率器件领域，未来还会继续聚焦科技前沿，加大科研投入，为各领域提供更多创新的碳化硅功率器件产品和服务。
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